Conforme à la norme Ro - HS : oui Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 100 n - A Courant du collecteur CI : 500 m - A Fabricant : DIODES Incorporated Fréquence - Transition : 75 MHz Gain à courant c.c. (h - FE) (min.) : 80 Ic : 100 m - A Nombre de canaux : 1 Puissance (max ...Conforme à la norme Ro - HS : oui Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 100 n - A Courant du collecteur CI : 500 m - A Fabricant : DIODES Incorporated Fréquence - Transition : 75 MHz Gain à courant c.c. (h - FE) (min.) : 80 Ic : 100 m - A Nombre de canaux : 1 Puissance (max) P(TOT) : 500 m - W Sigle du fabricant (composants) : DIn Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) : 300 V Type (type fabricant) : FMMT497TA Type de FET : NPN Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23-3 Type de montage : montage en surface Type de transistor (Catégorisation) : Transistor (BJT) - Discrêt Vce : 10 V Vce Saturation (max.) : 300 m - V