Diodes Incorporated DN350T05-7 Transistors bipolaires

Polarité du transistor = NPN / Configuration = Simple / Courant de collecteur continu (Ic) m - A = 500 / Tension du collecteur-émetteur (Vceo) V = 350 / Gain en courant CC (h - FE) = 15 / Tension base collecteur (Vcbo) V = 350 / Tension émetteur-base (Vebo) V = 5 / Température de ...Polarité du transistor = NPN / Configuration = Simple / Courant de collecteur continu (Ic) m - A = 500 / Tension du collecteur-émetteur (Vceo) V = 350 / Gain en courant CC (h - FE) = 15 / Tension base collecteur (Vcbo) V = 350 / Tension émetteur-base (Vebo) V = 5 / Température de fonctionnement, min. °C = -55 / Température de fonctionnement, max. °C = 150 / Fréquence de transit MHz = 50 / Dissipation de puissance (Pd) m - W = 300 / Type de boîtier = SOT-23 / Broches = 3 / Type de montage = Montage en surface / MSL = Niveau 1 / Emballage = Ruban et rouleau / Standard de qualification automobile = AEC-Q101 / Tension de saturation de l'émetteur du collecteur, maxi.

(Vce(sat)) V = 1 / Tension de saturation de l'émetteur de base, maxi. (Vbe(sat)) m - V = 900 / Température de refusion, maxi. °C = 260